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增強型GaN HEMT器件5 MeV質子輻照試驗研究

核技術頁數： 8 2024-12-15

摘要：氮化鎵器件憑借優異的性能在抗輻照應用領域備受關注，為探究不同結構的氮化鎵器件抗質子輻照能力，開展了對增強型Cascode級聯結構和P-GaN柵結構GaN高電子遷移率晶體管（High Electron Mobility Transistor,HEMT）器件的5 MeV質子輻照試驗，分析器件電學特性退化規律，并明確其質子輻照效應損傷機制。試驗發現，質子輻照注量越大，Cascode結... （共8頁）

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