碳納米管場效應晶體管的制備技術發展與挑戰

摘要： 由平行陣列碳納米管（Aligned carbon nanotubes, ACNTs）材料構建的場效應晶體管因其超高的載流子遷移率、尺寸縮減潛力、互補金屬氧化物半導體（Complementary-metal-oxide-semiconductor, CMOS）的可實現性以及晶圓級制備的可能性，成為后摩爾時代高性能、低功耗場效應晶體管的強力候選者。本文綜述了碳納米管場效應晶體管的制... （共16頁）