指機器設備本身因素所產生的偽影。1.化學位移偽影指原子核因所處的分子環境不同,質子共振頻率出現差異而形成的圖像失真,稱為化學位移偽影。高場強MR機器比低場強MR機器化學位移偽影顯著,常發生在脂質含量差異較大的兩種組...[繼續閱讀]
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指機器設備本身因素所產生的偽影。1.化學位移偽影指原子核因所處的分子環境不同,質子共振頻率出現差異而形成的圖像失真,稱為化學位移偽影。高場強MR機器比低場強MR機器化學位移偽影顯著,常發生在脂質含量差異較大的兩種組...[繼續閱讀]
MRI應用于臨床的時間盡管不長,但已顯示了它強大的潛力。MRI在顯示顱頸結合部、顱底、后顱凹及脊髓疾病方面明顯優于CT。對中樞神經系統疾病的診斷具有較高的敏感性,例如:脫髓鞘疾病、腦梗死、Chiari畸形、脊索瘤、垂體瘤、錯構...[繼續閱讀]
1.大腦皮質表面層面一般層面定位在離顱頂內板10mm以下,距側腦室頂20~25mm。大腦頂部表面的腦回的灰質和腦溝顯示非常清晰。溝回界面十分醒目,主要畫面被頂額葉所占據,額葉僅占前約1/4區域,枕葉不能窺見,腦溝回均貼緊顱內板,大...[繼續閱讀]
主要掌握矢狀正中層面。1.矢狀正中層面胼胝體嘴、膝、體、壓部顯示良好,還可見前聯合、乳頭體、穹隆、室間孔、第三腦室下部、視交叉隱窩、漏斗隱窩、垂體蒂、中間塊、松果體及其隱窩、后聯合。穹隆上方為側腦室,后為丘腦...[繼續閱讀]
顱腦正常MRI冠位見圖2-3-A至圖2-3-K。要重點掌握四個層面的正常解剖,自前至后為:1.額葉中部層面該層面于外耳道前3cm處,中線側自上至下為額上回、扣帶溝、扣帶回、胼胝溝、胼胝體回、胼胝體、直回等。中線縱裂內有大腦鐮、胼胝...[繼續閱讀]
圖2-4-A皮層區圖2-4-B皮層下區圖2-4-C半卵圓中心區圖2-4-D放射冠及側腦室體區圖2-4-E側腦室區圖2-4-F基底節區圖2-4-G額底及海馬回區圖2-4-H海馬及中腦區圖2-4-I顳葉及橋腦區圖2-4-J橋小腦角區圖2-4-K延髓及小腦區圖2-4-L延髓及小腦扁桃體區...[繼續閱讀]
圖2-5-A前角平面圖2-5-B視交叉平面圖2-5-C側室體前部平面圖2-5-D室間孔平面圖2-5-E海馬平面圖2-5-F海馬平面圖2-5-G側室體中部平面圖2-5-H中腦平面圖2-5-I中腦、橋腦平面圖2-5-J四疊體平面圖2-5-K四疊體池平面圖2-5-L小腦平面...[繼續閱讀]